Благодаря APM и 90-нм технологии, в будущем уровень выхода годных кристаллов должен расти ещё быстрее.

Планы на 2006: производство процессоров AMD на стороне

Чтобы нарастить объём производства, в конце этого года AMD подписала соглашение с сингапурской компанией Chartered Semiconductor Manufacturing. Её завод может выпускать подложки с диаметром, максимум, 200 мм. Однако вскоре эта компания перейдёт на 90-нм техпроцесс. Информация от AMD насчёт того, что именно будет производить Chartered, остаётся туманной. Как говорят представители компании, сингапурский партнёр обеспечивает "гибкие объёмы производства".


Ассортимент продукции Chartered Semiconductor Manufacturing в Сингапуре. AMD будет использовать производственные мощности этой компании, чтобы увеличить объём выпускаемых чипов.


Кроме собственной Fab 36 в Дрездене, AMD будет использовать заводы третьих компаний, например Chartered, которые начнут производить новые процессоры Athlon 64 и Opteron для AMD со следующего года.


На данный момент AMD полностью зависит от собственного завода Fab 30 в Дрездене, который производит все процессоры Sempron, Athlon64, Turion64 и Opteron. Завод в техасском Остине сегодня производит только флэш-память.

Как создаются чипы?



AMD, IBM, Intel и другие тяжеловесы индустрии используют один и тот же принцип производства полупроводников. Основные отличия между ними заключается в типе и числе шагов техпроцесса, а также используемом оборудовании и материалах.

Так как же получают полупроводники? Основой любого производства чипов является подложка, которая затем проходит через несколько сотен шагов - в зависимости от требуемого продукта до 500, некоторые из шагов повторяются много раз. Дело в том, что на подложку слой за слоем наносится сложная структура. В начале процесса производства перед нами находится только слой кремния в виде подложки толщиной около миллиметра. Затем поверхность кремния окисляется с помощью пара. Получившийся оксид кремния формирует основу для последующего процесса травления. Затем на подложку наносится слой фоторезиста. С помощью литографии на подложку переносится требуемый шаблон. Наконец, в условиях высоких температур и специального химического состава незащищённый фоторезист твердеет. Открытые участки фоторезиста удаляются на следующем этапе. После этого химикаты избирательно действуют на те участки оксида кремния, которые не защищены фоторезистом.

После этого фоторезист, химикаты и другие материалы удаляются с помощью сверхчистого газа. Затем подложка бомбардируется ионами. В итоге мы получаем транзистор с истоком, затвором и стоком. На одной из последующих фаз с помощью ультрафиолетовой литографии добавляются металлические контакты. Последнее ядро AMD ClawHammer использует восемь слоёв медных соединений для 105,9 млн. транзисторов процессора.
 

Copyright @ by Lehach, 2009